[发明专利]高压电阻器件有效
申请号: | 201711278227.2 | 申请日: | 2017-12-06 |
公开(公告)号: | CN109216176B | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 邱奕正;江文智;蔡俊琳;吴国铭;林炫政;陈益民;林宏洲;卡思克·穆鲁克什 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L21/18;H01L29/8605 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例涉及一种能够使用小覆盖区接收高压的高压电阻器件以及相关的制造方法。在一些实施例中,高压电阻器件具有包括第一掺杂类型的第一区的衬底和布置在第一区上方的衬底内并具有第二掺杂类型的漂移区。具有第一掺杂类型且横向接触漂移区的主体区;在漂移区内布置具有第二掺杂类型的漏极区,以及隔离结构,位于漏极区和主体区之间的衬底上方。电阻器结构位于隔离结构上方并且具有连接至漏极区的高压端子和连接至隔离结构上方的栅极结构的低压端子。 | ||
搜索关键词: | 高压 电阻 器件 | ||
【主权项】:
1.一种高压电阻器件,包括:衬底,包括具有第一掺杂类型的第一区;漂移区,布置在所述第一区上方的所述衬底内并且具有第二掺杂类型;主体区,具有所述第一掺杂类型并横向接触所述漂移区;漏极区,布置在所述漂移区内并且具有所述第二掺杂类型;隔离结构,位于所述漏极区和所述主体区之间的所述衬底上方;以及电阻器结构,位于所述隔离结构上方,并且具有连接至所述漏极区的高压端子和连接至所述隔离结构上方的栅极结构的低压端子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造