[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201711281228.2 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107993976B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 北村阳介;大石周;黄晓橹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L23/498;H01L23/538;H01L21/48;H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括衬底，衬底包括沟槽结构部件以及由沟槽结构部件分隔开的有源区，其中，沟槽结构部件具有沟槽以及位于沟槽中的第一区域和第二区域，第二区域至少包围第一区域的底面和侧面，并且第一区域由导电材料形成，第二区域由绝缘材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括沟槽结构部件以及由所述沟槽结构部件分隔开的有源区，其中，所述沟槽结构部件具有沟槽以及位于所述沟槽中的第一区域和第二区域，所述第二区域至少包围所述第一区域的底面和侧面，并且所述第一区域由导电材料形成，所述第二区域由绝缘材料形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
