[发明专利]一种非易失三维存储器的控制电路在审
| 申请号： | 201711281993.4 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108039188A | 公开（公告）日： | 2018-05-15 |
| 发明（设计）人： | 刘飞;霍宗亮;杨诗洋;王颀;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失三维存储器的控制电路，该控制电路包括：电压生成电路、电平检测电路、充电电路以及放电电路；电压生成电路用于为三维存储器字线提供电压；充电电路用于为三维存储器字线进行充电；放电电路用于为三维存储器字线进行放电；电平检测电路用于检测三维存储器中的字线电压是否偏离目标电压，当字线电压低于目标电压时，三维存储器通过充电电路进行充电，当字线电压高于目标电压时，三维存储器通过所述放电电路进行放电。该控制电路有效消除了三维存储器字线电压扰动，防止三维存储器因工艺偏差和偏置电压控制时序导致的字线电压耦合问题，大幅度缩短了字线电压稳定时间，显著提高了三维存储器的读写效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失 三维 存储器 控制电路 | ||
【主权项】：
1.一种非易失三维存储器的控制电路，其特征在于，所述控制电路包括：电压生成电路、电平检测电路、充电电路以及放电电路；其中，所述电压生成电路用于为所述三维存储器字线提供电压；所述充电电路用于为所述三维存储器字线进行充电；所述放电电路用于为所述三维存储器字线进行放电；所述电平检测电路用于检测所述三维存储器中的字线电压是否偏离字线目标输出电压，当所述三维存储器中的字线电压低于所述字线目标输出电压时，所述三维存储器字线通过所述充电电路进行充电，当所述三维存储器中的字线电压高于所述字线目标输出电压时，所述三维存储器字线通过所述放电电路进行放电。
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