[发明专利]一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201711282031.0 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108281525A | 公开（公告）日： | 2018-07-13 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;袁根如;张楠 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201209 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种复合衬底、半导体器件结构及其制备方法，所述复合衬底包括：生长衬底；外延缓冲层，位于所述生长衬底上表面；凸起结构，呈周期性间隔分布于所述外延缓冲层上表面；所述凸起结构为半导体介质膜层；图形化保护层，位于所述凸起结构与所述外延缓冲层之间，且位于所述凸起结构的正下方。本发明的保护层起到对外延缓冲层保护的作用，使得外延缓冲层不会受到干法刻蚀工艺中刻蚀气体或聚合物的污染，使得在外延缓冲层表面再次外延生长外延层更加容易，生长工艺窗口更大，可工艺化量产。 | ||
| 搜索关键词： | 外延缓冲层 凸起结构 衬底 半导体器件结构 复合 生长 制备 干法刻蚀工艺 图形化保护层 半导体介质 衬底上表面 周期性间隔 工艺窗口 刻蚀气体 外延生长 聚合物 保护层 工艺化 上表面 外延层 量产 膜层 污染 | ||
【主权项】：
1.一种复合衬底的制备方法，其特征在于，所述复合衬底的制备方法包括以下步骤：1)提供生长衬底；2)在所述生长衬底上表面形成外延缓冲层；3)在所述外延缓冲层上表面形成保护层；4)在所述保护层上表面形成半导体介质膜层；5)采用光刻及干法刻蚀工艺将所述半导体介质膜层图形化，以在所述保护层上表面形成周期性间隔分布的凸起结构；所述凸起结构之间暴露出部分所述保护层；6)采用湿法刻蚀工艺将所述保护层图形化，以去除暴露的所述保护层。
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