[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201711283650.1 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109103084B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 吕俊颉;让-皮埃尔·科林格;后藤贤一;吴志强;林佑明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在制造全环栅场效应晶体管的方法中，在衬底上方形成沟槽。将纳米管结构布置在沟槽中，每个纳米管结构包括碳纳米管(CNT)，碳纳米管具有包裹在CNT周围的栅极介电层和位于栅极介电层上方的栅电极层。在沟槽中形成锚定层。去除源极/漏极(S/D)区处的锚定层的部分。去除S/D区处的栅电极层和栅极介电层，从而暴露S/D区处的CNT的部分。在CNT的暴露部分上形成S/D电极层。去除栅极区处的锚定层的部分，从而暴露栅极结构的栅电极层的部分。在栅电极层的暴露部分上形成栅极接触层。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成全环栅场效应晶体管的栅极结构的方法，所述方法包括：在衬底上方设置碳纳米管(CNT)；在设置在所述衬底上方的所述碳纳米管的两端上形成锚定结构；在形成所述锚定结构之后，使位于所述碳纳米管下面的所述衬底的部分凹进；在所述凹进之后，形成包裹在所述碳纳米管周围的栅极介电层，并且在所述栅极介电层上方形成栅电极层；以及从所述衬底去除带有所述栅极介电层和所述栅电极层的所述碳纳米管，从而形成栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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