[发明专利]烧结钕铁硼防氧化处理方法在审
| 申请号： | 201711285945.2 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108133818A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 刘润海;刘月玲 | 申请（专利权）人： | 北京京磁电工科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 101204 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了烧结钕铁硼防氧化处理方法，步骤包括：在气流磨粉碎过程中，将纯氧射入气流磨机中，纯氧的补入量为1.0～15L/h，纯氧的浓度不低于99.9％，气流磨粉碎系统中氧含量为5～15ppm。本发明粉末颗粒在气流磨机中粉碎的同时伴随着颗粒表面微量吸氧，形成均匀钝化薄膜，有效第避免了空气及水汽的直接吸附氧化，不仅改善了烧结后磁体的外观合格率，提高烧结钕铁硼磁体的磁性能。 | ||
| 搜索关键词： | 纯氧 防氧化处理 烧结钕铁硼 气流磨机 气流磨 烧结钕铁硼磁体 外观合格率 粉末颗粒 粉碎系统 均匀钝化 颗粒表面 烧结 水汽 磁性能 射入 吸附 吸氧 薄膜 | ||
【主权项】：
烧结钕铁硼防氧化处理方法，其特征在于，步骤包括：在气流磨粉碎过程中，将纯氧射入气流磨机中，纯氧的补入量为1.0～15L/h，纯氧的浓度不低于99.9％，气流磨粉碎系统中氧含量为5～15ppm。
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