[发明专利]芯材料和半导体封装体和凸块电极的形成方法

摘要

提供芯材料和半导体封装体和凸块电极的形成方法。该芯材料是将包含Sn和Bi的(Sn‑Bi)系软钎料合金在芯(12)的表面形成镀覆膜而得到的芯材料，其是软钎料镀覆层(16)中的Bi以规定范围的浓度比分布在软钎料镀覆层中的芯材料，是以Bi的浓度比在91.7～106.7％的规定范围内分布于软钎料镀覆层中的芯材料。软钎料镀覆层中的Bi是均匀的。因此，不会发生如下的情况：内周侧比外周侧更早发生熔融，在内周侧与外周侧产生体积膨胀差，使芯材料被弹飞。另外，软钎料镀覆层整体大致均匀地熔融，因此不会发生被认为是因熔融时机参差不齐而发生的芯材料的位置偏移，因此不存在伴随位置偏移等的电极间短路等担心。

主权项

1.一种芯材料，其在芯表面具有电镀软钎料而成的包含Sn和Bi的Sn‑Bi系软钎料合金的电镀软钎料镀覆层，其特征在于，所述芯由Cu、Ni、Ag、Bi、Pb、Al、Sn、Fe、Zn、In、Ge、Sb、Co、Mn、Au、Si、Pt、Cr、La、Mo、Nb、Pd、Ti、Zr、Mg的金属单质或它们的两种以上的合金、金属氧化物、或者金属混合氧化物形成，如下表示所述软钎料镀覆层中所含的Bi的浓度比时，所述浓度比处于91.4～106.7％的范围内，浓度比(％)＝Bi的测量值(质量％)/目标的Bi含量(质量％)或者，浓度比(％)＝Bi的测量值的平均值(质量％)/目标的Bi含量(质量％)。