[发明专利]一种用于PECVD设备的进气混合装置在审
| 申请号： | 201711286753.3 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN107841729A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 李致文;余仲;张勇 | 申请（专利权）人： | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50;C23C16/455 |
| 代理公司： | 深圳市康弘知识产权代理有限公司44247 | 代理人： | 尹彦,胡朝阳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区横岗*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于PECVD设备的进气混合装置，包括第一进气引管、第二进气引管和出气口，还包括一分别与所述第一进气引管、所述第二进气引管和出气口连通的混气盒，所述混气盒内设有迷宫式的混气通道。本发明通过增加迷宫式的混气通道，保证两种工艺气体在送至PECVD设备的反应室之前已充分混合，使工艺气体达到最佳的反应状态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 pecvd 设备 混合 装置 | ||
【主权项】：
一种用于PECVD设备的进气混合装置，包括第一进气引管、第二进气引管和出气口，其特征在于，还包括一分别与所述第一进气引管、所述第二进气引管和出气口连通的混气盒，所述混气盒内设有迷宫式的混气通道。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
