[发明专利]一种原生电磁场SiC-ZnO复合材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201711287516.9 申请日: 2017-12-07
公开(公告)号: CN107879744B 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 顾华志;杨爽;黄奥;张美杰 申请(专利权)人: 武汉科技大学
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/622
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 张火春
地址: 430081 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种原生电磁场SiC‑ZnO复合材料及其制备方法。其技术方案是:以40~60wt%的碳化硅颗粒、0~10wt%的碳化硅细粉和30~60wt%的热电氧化物粉体为原料,外加所述原料5~10wt%的粘结剂,混练,机压成型,干燥,即得干燥后的坯体;然后将干燥后的坯体置于高温炉中,以25~35℃/h的速率升温至1200~1600℃,保温8~10h,制得原生电磁场SiC‑ZnO复合材料。本发明所制备的原生电磁场SiC‑ZnO复合材料高温力学性能优异、热震稳定性及热电性能好,并能利用在服役过程中的温差原位产生电磁场,减少工作层对钢水的污染,提升钢铁质量。
搜索关键词: 一种 原生 电磁场 sic zno 复合材料 及其 制备 方法
【主权项】:
一种原生电磁场SiC‑ZnO复合材料的制备方法,其特征在于以40~60wt%的碳化硅颗粒、0~10wt%的碳化硅细粉和30~60wt%的热电氧化物粉体为原料,外加所述原料5~10wt%的粘结剂,混练,机压成型,干燥,即得干燥后的坯体;将干燥后的坯体置于高温炉中,以25~35℃/h的速率升温至1200~1600℃,保温8~10h,制得原生电磁场SiC‑ZnO复合材料。
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