[发明专利]形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201711287662.1 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109427898B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王菘豊;许志成;黄鸿仪;张志维;徐志安 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种形成半导体器件的方法，其包括形成源极/漏极区，以及在真空腔室或真空集群系统中进行选择性沉积以在源极/漏极区上形成金属硅化物层，并且在与源极/漏极区相邻的介电区上形成金属层。该方法还包括选择性地蚀刻真空腔室中的金属层，并且在金属硅化物层上选择性地形成金属氮化物层。在真空腔室或真空集群系统中进行选择性地形成金属氮化物层而未破真空。本发明实施例还提供另外两种形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：形成源极/漏极区；在真空腔室中进行选择性沉积以在所述源极/漏极区上形成金属硅化物层，并且在与所述源极/漏极区相邻的介电区上形成金属层；选择性地蚀刻所述真空腔室中的所述金属层；以及在所述金属硅化物层上选择性地形成金属氮化物层，其中，在所述真空腔室中进行选择性地形成所述金属氮化物层。
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