[发明专利]封装结构在审
| 申请号： | 201711288268.X | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108695267A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 郑心圃;陈硕懋;许峯诚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 封装结构包括第一介电层、第一半导体装置、第一重分布线、第二介电层、第二半导体装置、第二重分布线、第一导电件及第一模制材料。第一半导体装置在第一介电层上方。第一重分布线在第一介电层中且电连接至第一半导体装置。第二介电层在第一半导体装置上方。第二半导体装置在第二介电层上方。第二重分布线在第二介电层中且电连接至第二半导体装置。第一导电件电连接第一重分布线与第二重分布线。第一模制材料模制第一半导体装置及第一导电件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 介电层 重分布线 导电件 电连接 封装结构 第一模 材料模制 | ||
【主权项】：
1.一种封装结构，其特征在于，包含：一第一介电层；一第一半导体装置，在该第一介电层上方；一第一重分布线，在该第一介电层中且电连接至该第一半导体装置；一第二介电层，在该第一半导体装置上方；一第二半导体装置，在该第二介电层上方；一第二重分布线，在该第二介电层中且电连接至该第二半导体装置；一第一导电件，电连接该第一重分布线与该第二重分布线；以及一第一模制材料，模制该第一半导体装置及该第一导电件。
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