[发明专利]并联MOSFET逆变模块的测试电路及测试方法有效
| 申请号： | 201711288460.9 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108051720B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 杭孟荀;邵平;林伟义;吴瑞;魏昌田;袁文爽 | 申请（专利权）人： | 奇瑞汽车股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 广州中瀚专利商标事务所(普通合伙) 44239 | 代理人： | 黄洋;盖军 |
| 地址： | 241009 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明的目的是提出一种并联MOSFET逆变模块的测试电路及测试方法，以用于测试并联MOSFET逆变模块的功能性及查找相应的隐患。本发明的并联MOSFET逆变模块的测试电路由待测逆变模块、负载电路、主电源、辅助电源及PWM信号发生电路组成；PWM信号发生电路的输出端与待测逆变模块的输入端连接，主电源的两端分别与待测逆变模块的电源端、地端连接而形成闭合回路；所述负载电路由调节电阻、负载电感、负载电阻及负载电容构成，其中调节电阻串接于测逆变模块的电源端与主电源之间，负载电感与负载电阻所组成的串联电路串接于待测逆变模块的输出端与地端之间，负载电容与主电源并联；辅助电源的正负极两端分别与待测逆变模块内驱动芯片的正负电源引脚相连接。 | ||
| 搜索关键词： | 并联 mosfet 模块 测试 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种并联MOSFET逆变模块的测试电路，其特征在于由待测逆变模块、负载电路、主电源、辅助电源及PWM信号发生电路组成；所述待测逆变模块由驱动芯片、两个MOSFET管构成，其中第一MOSFET管的源极与第二MOSFET管的漏极连接，驱动芯片具有两个输出端，并分别连接至两个MOSFET管的栅极，所述驱动芯片接收PWM信号发生电路的PWM信号，并向两个MOSFET管的栅极发出相位相反的PWM驱动信号；第一MOSFET管的源极作为待测逆变模块的电源端，第二MOSFET管的漏极作为待测逆变模块的地端，两个MOSFET管的源极与漏极之间均通过二极管连接，二极管的导通方向由源极到漏极；所述驱动芯片的输入端作为待测逆变模块的输入端，第一MOSFET管的源极与第二MOSFET管的漏极的接点作为待测逆变模块的输出端；PWM信号发生电路的输出端与待测逆变模块的输入端连接，主电源的两端分别与待测逆变模块的电源端、地端连接而形成闭合回路；所述负载电路由调节电阻、负载电感、负载电阻及负载电容构成，其中调节电阻串接于测逆变模块的电源端与主电源之间，负载电感与负载电阻所组成的串联电路串接于待测逆变模块的输出端与地端之间，负载电容与主电源并联；辅助电源的正负极两端分别与待测逆变模块内驱动芯片的正负电源引脚相连接。
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