[发明专利]存储器的制备方法

摘要

本发明揭示了一种存储器及其形成方法。通过形成第一图案层以界定出第一凹槽，并通过形成第一调整层以在第一凹槽中形成第二凹槽，从而可对准填充第二调整层在第二凹槽中，去除第一调整层中暴露出的部分以形成第二图案层，并形成第一空隙在第一图案层和第二图案层之间，进而在将第一图案层和第二图案层的图形转移至衬底中时，相应地的形成与第一空隙对应的第一沟槽在衬底中。利用本发明提供的存储器的形成方法，能够形成宽度尺寸较小的第一沟槽，从而在利用第一沟槽界定出多个有源区时，有利于缩减相邻有源区之间的距离。

主权项

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底；形成多个第一图案层在所述衬底上，所述第一图案层呈条形结构并沿着第一方向延伸，多个所述第一图案层沿着第二方向在所述衬底上顺序排布，并且相邻的两个所述第一图案层之间界定出一第一凹槽，并且在所述衬底和所述第一图案层之间还形成有一图形转移层，所述图形转移层包括由下至上层迭的第一转移层和第二转移层；形成一第一调整层在所述衬底上，所述第一调整层覆盖所述第一图案层并覆盖所述第一凹槽的侧壁和底壁，以利用所述第一调整层中覆盖所述第一凹槽侧壁和底壁的部分在所述第一凹槽中形成一沿着所述第一方向延伸的第二凹槽；对准填充一第二调整层在所述第二凹槽中，并使所述第一调整层中覆盖所述第一凹槽侧壁的部分暴露出；去除所述第一调整层中覆盖所述第一凹槽侧壁的部分，以形成一沿着所述第一方向延伸的第一空隙在所述第一图案层和所述第二调整层之间，并保留所述第一调整层中位于所述第二调整层下方的部分，以利用所述第二调整层和剩余的所述第一调整层构成一第二图案层，并且所述第二图案层和所述第一图案层界定出所述第一空隙在所述第二方向上的宽度边界，其中采用干法刻蚀工艺去除所述第一调整层中覆盖所述第一图案层侧壁的部分，并且在刻蚀过程中，对所述第一调整层的刻蚀速率大于对所述第二调整层的刻蚀速率，以使所述第二调整层顶部的部分被部分消耗；将所述第一图案层的图形和所述第二图案层的图形同时转移至所述衬底中，以形成与所述第一空隙对应的第一沟槽在所述衬底中，并且相邻的所述第一沟槽用于界定出存储器的有源区；其中，将所述第一图案层的图形和所述第二图案层的图形转移至所述衬底中的步骤包括：执行刻蚀工艺，以将所述第一图案层的图形和所述第二图案层的图形转移至所述图形转移层中，并进一步转移至所述衬底中以形成隔离沟槽，并且所述图形转移层的所述第一转移层与所述第二转移层的刻蚀选择比大于等于5，以在刻蚀所述图形转移层至形成所述隔离沟槽的过程中，所述第一图案层、所述第一调整层、所述第二调整层和所述第二转移层被消耗，而所述第一转移层被保留并被图形化；以及，在形成所述隔离沟槽之后，还包括填充隔离材料在所述隔离沟槽中，以形成隔离结构，并在形成所述隔离结构之后，还进行一次致密化处理。