[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201711289177.8 | 申请日： | 2017-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN108987571B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 黄宏麟;陈承先;古进誉;黄冠智;黄伟立 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体装置及其形成方法。半导体装置包括导电层、第一介电层、磁性层、及蚀刻终止堆叠。所述第一介电层设置在所述导电层之上。所述磁性层设置在所述第一介电层之上。所述蚀刻终止堆叠设置在所述磁性层与所述第一介电层之间。所述蚀刻终止堆叠包括第二介电层及位于所述第二介电层与所述磁性层之间的多个单元层，且所述多个单元层中的每一者包括钽层及位于所述钽层上的氧化钽层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：导电层；第一介电层，设置在所述导电层之上；磁性层，设置在所述第一介电层之上；以及蚀刻终止堆叠，设置在所述磁性层与所述第一介电层之间，所述蚀刻终止堆叠包括多个钽层及多个氧化钽层。
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