[发明专利]一种量子点白光LED及其制备方法有效
申请号: | 201711291145.1 | 申请日: | 2017-12-08 |
公开(公告)号: | CN108110123B | 公开(公告)日: | 2019-07-05 |
发明(设计)人: | 韩炜;蔡冬;尉国栋;马天程 | 申请(专利权)人: | 吉林大学 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人: | 刘世纯;王恩远 |
地址: | 130012 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | 一种量子点白光LED及其制备方法,属于半导体照明领域。其是基于电致发光的蓝光LED芯片,在芯片表面依次涂覆发红光的CdSe/CdS/ZnS量子点薄膜层和发绿光的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点薄膜层得到。绿光的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点可通过核掺杂Cu2+和外部ZnS壳层包覆Al3+,提高其光/热稳定性。发红光的CdSe/CdS/ZnS梯度合金量子点则提供多壳层保护,减少表面晶格不匹配带来的缺陷,防止其光退化。分层结构的涂覆方式可明显抑制量子点间的能量传递和重吸收,增加其发光效率。所制备的量子点白光LED适用于要求低色温、高显色指数、高发光效率的场合,尤其适用于对发光稳定性有较高要求的显示、照明领域。 | ||
搜索关键词: | 量子点 白光LED 制备 薄膜层 红光 蓝光LED芯片 半导体照明 发光稳定性 高发光效率 高显色指数 表面晶格 电致发光 发光效率 分层结构 能量传递 热稳定性 梯度合金 涂覆方式 芯片表面 照明领域 低色温 多壳层 光退化 包覆 壳层 绿光 涂覆 匹配 掺杂 外部 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种量子点白光LED的制备方法,其步骤如下:(1)制备核掺杂Cu2+、壳层掺杂Al3+的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al绿光量子点,然后分散于有机溶剂中得到100~300mg/mL的量子点溶液;(2)制备梯度合金的CdSe/CdS/ZnS红光量子点,然后分散于有机溶剂中得到0.5~5.0mg/mL量子点溶液;(3)将步骤(2)制备的1mL的CdSe/CdS/ZnS量子点溶液加入到0.5~0.8g硅胶树脂A中,搅拌均匀,在40~60℃真空条件下热处理20~40min以除去溶剂,然后再加入0.2~0.5g硅胶树脂B固化剂,并搅拌均匀,得到CdSe/CdS/ZnS量子点与硅胶树脂混合物;(4)取10~30μL步骤(3)制备的CdSe/CdS/ZnS量子点与硅胶树脂混合物滴涂在蓝光LED芯片上,并在室温下空气中固化1~3h,得到的量子点薄膜的厚度为10~50μm;(5)将步骤(1)制备的2mL的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点溶液加入到0.5~0.8g硅胶树脂A中,搅拌均匀,在40~60℃真空条件下热处理20~40min以除去溶剂,然后加入0.2~0.5g硅胶树脂B固化剂,并搅拌均匀,得到Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点与硅胶树脂混合物;(6)取10~30μL步骤(5)制备的Cu:ZnInS/ZnS/ZnS:Al量子点与硅胶树脂混合物滴涂在步骤(4)制备的滴涂有CdSe/CdS/ZnS量子点层的蓝光LED芯片上,在室温下空气中固化1~3h,然后在60~100℃真空条件下干燥处理1~3h,得到量子点薄膜厚度为10~50μm的量子点白光LED。
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