[发明专利]发光装置在审
| 申请号： | 201711292778.4 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108063174A | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 曹梓毅;蔡正晔 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光装置，其包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、绝缘层、第一电极以及第二电极。发光层设置于第一半导体层上。第二半导体层设置于发光层上。绝缘层至少设置于第一半导体层的侧壁上。第一电极设置于第一半导体层的底面及至少部分的绝缘层上。第二电极配置于第二半导体层上。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光装置，其特征在于，该发光装置包括：第一半导体层；发光层，设置于该第一半导体层上；第二半导体层，设置于该发光层上，其中该发光层具有一底面、一顶面及一侧壁，该发光层的该侧壁连接于该发光层的该底面与该发光层的该顶面之间，该第一半导体层具有一底面、一顶面及一侧壁，该第一半导体层的该侧壁连接于该第一半导体层的该底面与该第一半导体层的该顶面之间，且该第一半导体层的该顶面设置于该第一半导体层的该底面与该发光层的该底面之间；绝缘层，至少设置于该第一半导体层的该侧壁上；第一电极，设置于该第一半导体层的该底面以及至少部分的该绝缘层上，其中该第一电极覆盖至少部分的该第一半导体层的该侧壁；以及第二电极，配置于该第二半导体层上。
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