[发明专利]基片处理方法和热处理装置有效
| 申请号： | 201711293037.8 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108183068B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 佐野要平;川上真一路;榎本正志;盐泽崇博;吉田圭佑;鬼塚智也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明在使用含金属材料的基片处理中，抑制热处理中的金属污染同时适当地形成含金属膜。基片处理系统具有对形成于基片上的含金属膜进行热处理的热处理装置。热处理装置包括：收纳晶片W的处理腔室(320)；设置于处理腔室(320)的内部，用于载置晶片W的热处理板(360)；对处理腔室(320)的内部供给含水分气体的喷头(330)；和从处理腔室(320)的中央部对内部进行排气的中央排气部。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 方法 热处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种对形成于基片的含金属膜进行热处理的基片处理方法，其特征在于：所述热处理通过在设置于处理腔室的内部的热处理板上载置基片来进行，在所述热处理中，对所述含金属膜供给水分，从所述处理腔室的中央部对该处理腔室的内部进行排气。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
