[发明专利]形成垂直孔的刻蚀方法及其结构

摘要

本发明提供一种形成垂直孔的刻蚀方法及其结构，该方法包括：提供一具有形成所垂直孔刻蚀区域的半导体基板；激光刻蚀步骤：对半导体基板进行激光刻蚀，以在刻蚀区域形成第一凹槽，该第一凹槽包含粗糙的侧壁和底部；等离子体刻蚀步骤：对第一凹槽的侧壁和底部进行等离子体刻蚀，以形成第二凹槽，同时去除第一凹槽侧壁和底部的粗糙结构，以使第二凹槽包含光滑的侧壁和底部。本发明通过激光刻蚀步骤与等离子体刻蚀步骤重复执行，缩短了制程时间、降低了制造成本，同时还能保证获得的垂直孔内表面光滑；另外形成的所述垂直通孔呈现宽度依次减小的结构，对垂直通孔后的器件表面的伤害小，可有效提高产品良率。

主权项

1.一种形成垂直孔的刻蚀方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：S1：提供一半导体基板，所述半导体基板具有形成所述垂直孔的刻蚀区域；S2：激光刻蚀步骤：预设激光刻蚀深度和激光刻蚀宽度，对所述半导体基板进行激光刻蚀，以在所述刻蚀区域形成具有第一宽度与第一深度的第一凹槽，所述第一凹槽包含粗糙的侧壁和底部；S3：等离子体刻蚀步骤：预设等离子体刻蚀深度和等离子体刻蚀宽度，对所述第一凹槽的侧壁和底部进行等离子体刻蚀，以形成具有第二宽度与第二深度的第二凹槽，同时去除所述第一凹槽侧壁和底部的粗糙结构，以使所述第二凹槽包含光滑的侧壁和底部。