[发明专利]用于极紫外光辐射源设备的碎片收集装置在审
| 申请号： | 201711295773.7 | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN109148320A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 简上杰;钟仁阳;吴尚颖;傅中其;陈立锐;郑博中;陈家桢 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;G03F7/20 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 极紫外光(EUV)辐射源设备包含收集器、用于产生锡(Sn)液滴的目标液滴产生器、可旋转碎片收集装置、以及围住至少收集器和可旋转碎片收集装置的腔室。可旋转碎片收集装置包含第一端支撑件、第二端支撑件以及多个叶片，这些叶片的端部分别由第一端支撑件和第二端支撑件支撑。这些叶片中的至少一个的表面涂覆将SnH4还原为Sn的催化剂层。 | ||
| 搜索关键词： | 碎片收集装置 支撑件 可旋转 辐射源设备 极紫外光 第一端 收集器 叶片 表面涂覆 催化剂层 滴产生器 多个叶片 目标液 腔室 液滴 还原 围住 支撑 | ||
【主权项】：
1.一种用于极紫外光辐射源设备的碎片收集装置，包括：一第一端支撑件；一第二端支撑件；以及多个叶片，该些叶片的端部分别由该第一端支撑件和该第二端支撑件支撑，其中该些叶片中的至少一个的表面涂覆将氢化物还原的一催化剂层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
