[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201711296845.X | 申请日： | 2017-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN108231897B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 邱雅文;王喻生;杨凯全;李显铭;范智翔;李达元;郭观华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置的形成方法包括形成第一晶体管，其包括形成第一栅极介电层于基板中的第一通道区上，以及形成第一功函数层于第一栅极介电层上，其中形成第一功函数层的步骤包括采用第一工艺条件沉积功函数材料，以形成具有不同结晶方向的第一比例的功函数材料。方法亦形成第二晶体管，其包括形成第二栅极介电层于基板中的第二通道区上，以及形成第二功函数层于第二栅极介电层上，其中形成第二功函数层的步骤包括采用第二工艺条件沉积功函数材料，以形成具有不同结晶方向的第二比例的功函数材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一n型晶体管，包括：形成自一基板凸起的一第一半导体鳍状物；以及形成一第一栅极堆叠于该第一半导体鳍状物上，其中形成该第一栅极堆叠的步骤包括：沉积一第一栅极介电物于该第一半导体鳍状物上；以及采用第一组制程参数沉积一功函数材料，其中第一组制程参数有关于形成具有一第一功函数的该功函数材料，其中该第一功函数有关于该功函数材料的第一结晶方向与第二结晶方向的第一比例；以及形成一p型晶体管，包括：形成自该基板凸起的一第二半导体鳍状物；以及形成一第二栅极堆叠于该第二半导体鳍状物上，其中形成该第二栅极堆叠的步骤包括：沉积一第二栅极介电物于该第二半导体鳍状物上；以及采用第二组制程参数沉积该功函数材料，其中第二组制程参数有关于形成具有一第二功函数的该功函数材料，其中该第二功函数有关于该功函数材料的第一结晶方向与第二结晶方向的一第二比例。
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