[发明专利]一种薄膜太阳能电池透光组件的制备方法在审
申请号: | 201711304222.2 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN107919404A | 公开(公告)日: | 2018-04-17 |
发明(设计)人: | 张宁;余新平;戴万雷;韩美英;丁阳 | 申请(专利权)人: | 北京四方创能光电科技有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0463 | 分类号: | H01L31/0463 |
代理公司: | 北京金阙华进专利事务所(普通合伙)11224 | 代理人: | 吴鸿维 |
地址: | 100085 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明主要涉及铜铟镓硒(CIGS)和铜锌锡硫(CZTS)等薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,其特征在于首先采用激光器一对薄膜太阳能电池组件进行透光处理,完成透光处理后采用激光器二在透光区域两侧进行绝缘刻划。本发明的优点是解决了不透明金属背电极的薄膜太阳能电池不能制作透光组件的问题,同时采用激光器二在透光区域两侧进行绝缘刻划,去除背电极Mo层以上的所有膜层,从而避免了在进行透光处理时可能导致的电池内部短路问题,增强了透光处理的可靠性和良品率。另外,由于本发明采用激光刻划的方式,透光比例任意可调,工艺重复性好,因此提高了生产的稳定性,降低生产与维护成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜 太阳能电池 透光 组件 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,所述薄膜太阳能电池为铜铟镓硒CIGS或铜锌锡硫CZTS太阳能电池;其特征在于:首先采用激光器一对薄膜太阳能电池组件进行透光处理,在薄膜太阳能电池组件的玻璃基体上形成第一组刻线即透光刻线,完成透光处理后采用激光器二形成第二组刻线在透光区域两侧进行绝缘刻划。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的