[发明专利]一种薄膜太阳能电池透光组件的制备方法在审

专利信息
申请号: 201711304222.2 申请日: 2017-12-11
公开(公告)号: CN107919404A 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 张宁;余新平;戴万雷;韩美英;丁阳 申请(专利权)人: 北京四方创能光电科技有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司
主分类号: H01L31/0463 分类号: H01L31/0463
代理公司: 北京金阙华进专利事务所(普通合伙)11224 代理人: 吴鸿维
地址: 100085 北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明主要涉及铜铟镓硒(CIGS)和铜锌锡硫(CZTS)等薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,其特征在于首先采用激光器一对薄膜太阳能电池组件进行透光处理,完成透光处理后采用激光器二在透光区域两侧进行绝缘刻划。本发明的优点是解决了不透明金属背电极的薄膜太阳能电池不能制作透光组件的问题,同时采用激光器二在透光区域两侧进行绝缘刻划,去除背电极Mo层以上的所有膜层,从而避免了在进行透光处理时可能导致的电池内部短路问题,增强了透光处理的可靠性和良品率。另外,由于本发明采用激光刻划的方式,透光比例任意可调,工艺重复性好,因此提高了生产的稳定性,降低生产与维护成本。
搜索关键词: 一种 薄膜 太阳能电池 透光 组件 制备 方法
【主权项】:
一种薄膜太阳能电池透光组件的制备方法,所述薄膜太阳能电池为铜铟镓硒CIGS或铜锌锡硫CZTS太阳能电池;其特征在于:首先采用激光器一对薄膜太阳能电池组件进行透光处理,在薄膜太阳能电池组件的玻璃基体上形成第一组刻线即透光刻线,完成透光处理后采用激光器二形成第二组刻线在透光区域两侧进行绝缘刻划。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京四方创能光电科技有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司,未经北京四方创能光电科技有限公司;北京四方继保自动化股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711304222.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top