[发明专利]一种碳掺杂石墨相氮化碳薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201711304765.4 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN109894134A | 公开(公告)日: | 2019-06-18 |
发明(设计)人: | 张瑞勤;熊伟 | 申请(专利权)人: | 香港城市大学深圳研究院 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24;B01J35/02 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 沈金辉 |
地址: | 518057 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种碳掺杂石墨相氮化碳薄膜及其制备方法。该制备方法包括:将碳源与氮化碳前驱体分散在水中,在30℃‑100℃、酸催化剂下进行聚合反应,过滤、干燥,得到改性前驱体;将改性前驱体放入坩埚中,基底覆盖坩埚,升温至500℃‑650℃,保温0.5h‑5h,得到碳掺杂石墨相氮化碳薄膜。本发明还提供了由上述制备方法得到的碳掺杂石墨相氮化碳薄膜。该碳掺杂石墨相氮化碳薄膜的制备工艺简单、成本低廉,具有优异的光电催化活性。 | ||
搜索关键词: | 氮化碳薄膜 石墨相 碳掺杂 制备 前驱体 改性 坩埚 光电催化 基底覆盖 聚合反应 酸催化剂 制备工艺 氮化碳 放入 水中 保温 过滤 | ||
【主权项】:
1.一种碳掺杂石墨相氮化碳薄膜的制备方法,其特征在于,该制备方法包括以下步骤:将碳源与氮化碳前驱体分散在水中,在30℃‑100℃、酸催化剂下进行聚合反应,过滤、干燥,得到改性前驱体,其中,碳源与氮化碳前驱体的总质量与水的质量比为0.01‑0.1:1;将所述改性前驱体放入坩埚中,基底覆盖坩埚,升温至500℃‑650℃,保温0.5h‑5h,得到所述碳掺杂石墨相氮化碳薄膜,其中,所述改性前驱体的质量与基底的导电面的面积的比值为0.1g/cm2‑2g/cm2。
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