[发明专利]一种硒化镉薄膜气相外延制备系统

摘要

本发明涉及一种硒化镉薄膜气相外延制备系统，属于半导体制造技术领域。该制备系统包括位移系统、控温系统、外延系统、操作箱、固定台、靶材存储箱，固定台固定设置在靶材存储箱顶端，操作箱设置在固定台上，位移系统设置在支撑架上，控温系统固定设置在位移系统顶端，外延系统水平设置且一端与操作箱连通，外延系统的另一端向控温系统延伸且可插入控温系统内。本发明在外延管中配备了源蒸发后流通的限向聚流罩以及源和生长衬底的支撑装置，分别利用限向聚流罩和支撑装置提高源的利用率和薄膜材料的高效率沉积。

主权项

1.一种硒化镉薄膜气相外延制备系统，其特征在于：包括位移系统、控温系统、外延系统、操作箱（32）、固定台（34）、靶材存储箱（35），固定台（34）固定设置在靶材存储箱（35）顶端，操作箱（32）设置在固定台（34）上，位移系统设置在支撑架（19）上，控温系统固定设置在位移系统顶端，外延系统水平设置且一端与操作箱（32）连通，外延系统的另一端向控温系统延伸且可插入控温系统内；位移系统包括支撑板（16）、位移车（17）、控温滑轨（18）、电源滑轨（20），控温滑轨（18）设置在支撑架（19）顶端，位移车（17）底端设置有车轮，车轮设置在控温滑轨（18）上且与控温滑轨（18）配合，支撑板（16）竖直设置在位移车（17）顶端的两侧，控温系统通过支撑板（16）固定设置在位移车（17）上方，电源滑轨（20）设置在地面且位于控温滑轨（18）的下方；控温系统包括炉管（1）、高温区炉丝（2）、中温区炉丝（3）、低温区炉丝（4）、高中温区隔热环带（5）、中低温区隔热环带（38）、高温区热电偶（6）、中温区热电偶（37）、低温区热电偶（39）、高温区数显器（7）、中温区数显器（36）、低温区数显器（8）、数据采集器、处理器（9）、触摸显示器、隔热锥管（10）、控温导线（11）、多频变电箱（12）、高压电线（13）、线转盘（14）、滑动电源（15），炉管（1）通过支撑板（16）固定设置在位移车（17）上，高中温区隔热环带（5）、中低温区隔热环带（38）竖直设置在炉管（1）并将炉管（1）分隔成炉管高温区、炉管中温区和炉管低温区，炉管低温区近外延系统端，高温区炉丝（2）设置在炉管高温区的炉管（1）内壁，中温区炉丝（3）设置在炉管中温区的炉管（1）内壁，低温区炉丝（4）设置在炉管低温区的炉管（1）内壁，高温区热电偶（6）均匀设置在炉管高温区的炉管（1）顶壁且高温区热电偶（6）的探头穿过炉管（1）顶壁延伸至炉管（1）内，中温区热电偶（37）均匀设置在炉管中温区的炉管（1）顶壁且中温区热电偶（37）的探头穿过炉管（1）顶壁延伸至炉管（1）内，低温区热电偶（39）均匀设置在炉管低温区的炉管（1）顶壁且低温区热电偶（39）的探头穿过炉管（1）顶壁延伸至炉管（1）内，高温区数显器（7）设置在炉管高温区的炉管（1）顶端，中温区数显器（36）设置在炉管中温区的炉管（1）顶端、低温区数显器（8）设置在炉管低温区的炉管（1）顶端，数据采集器固定设置在炉管（1）外壁，高温区热电偶（6）分别通过数据线与数据采集器、高温区数显器（7）连接，中温区热电偶（37）分别通过数据线与数据采集器、中温区数显器（36）连接，低温区热电偶（39）分别通过数据线与数据采集器、低温区数显器（8）连接，处理器（9）设置在炉管（1）顶端的中部，数据采集器与处理器（9）连接，触摸显示器固定设置在处理器（9）的前端且触摸显示器与处理器（9）连接，隔热锥管（10）固定设置在炉管低温区的一侧且与炉管低温区连通，多频变电箱（12）设置在位移车（17）顶端且位于炉管（1）下方，多频变电箱（12）通过控温导线（11）分别与高温区炉丝（2）、中温区炉丝（3）、低温区炉丝（4）连接，滑动电源（15）放置在电源箱内，电源箱的底部设置有轮子，轮子设置在电源滑轨（20）上且与电源滑轨（20）相配合，电源箱的顶端两侧竖直设置有线转盘架，线转盘（14）通过转动轴设置在线转盘架顶端且线转盘（14）可在线转盘架上转动，高压电线（13）缠绕在线转盘（14）上，滑动电源（15）通过高压电线（13）与多频变电箱（12）连接；外延系统包括外延管（21）、源凹台（22）、3个以上的限向聚流罩（23）、目标台（24）、置盒舟（25）、外延薄膜盒（26）、气流三通管（27）、密封盖（28）、真空管（29）、真空泵机（30）、减震台（31），气流三通管（27）水平方向的一端穿过操作箱（32）的侧壁且与操作箱（32）的内部连通，气流三通管（27）水平方向的另一端与外延管（21）的一端连通，气流三通管（27）竖直方向的一端穿过固定台（34）与真空管（29）顶端连通，真空管（29）底端与真空泵机（30）连接，真空泵机（30）设置在减震台（31）顶端，减震台（31）设置在地面；气流三通管（27）水平方向的一端设置有密封盖（28）且密封盖（28）位于操作箱（32）内；外延管（21）的另一端向炉管（1）延伸且可穿过隔热锥管（10）、插入到炉管（1）内，源凹台（22）设置在近炉管（1）一侧的外延管（21）内且凹面朝上设置，限向聚流罩（23）均匀设置在外延管（21）内的中部，目标台（24）设置在近操作箱（32）一侧的外延管（21）内，置盒舟（25）设置在目标台（24）的顶端，外延薄膜盒（26）设置在置盒舟（25）上，外延薄膜盒（26）的侧壁设有可开合盖且可开合盖设置在外延薄膜盒（26）的近源凹台（22）端，可开合盖上均匀设置有若干个气流滤孔。