[发明专利]一种半导体器件在审
| 申请号： | 201711307938.8 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN107863391A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 罗艳 | 申请（专利权）人： | 四川九鼎智远知识产权运营有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人： | 詹永斌 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件。其包括依次设置的P型衬底、隔离层和N型硅层；N型硅层一侧的隔离层上设有P型阱，另一侧的隔离层上设有N型阱；P型阱上有源极，N型阱上有漏极，N型硅层上有氧化层；源极和漏极之间的氧化层、P型阱和N型阱覆盖第一介质层；源极和漏极之间的第一介质层覆盖第二介质层，第二介质层上形成有栅极；栅极上跨设金属拱形场板；第一介质层内具有位于下层的多个半绝缘电阻极板和位于上层的多个导体极板，任意一个半绝缘电阻极板与上层相邻的一个导体极板垂直连接，与上层相邻的另一个导体极板构成电容器，位于左右最外侧的两个导体极板分别与P型阱和N型阱垂直连接。本发明能够提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：P型衬底；隔离层，所述隔离层位于所述P型衬底上；N型硅层，所述N型硅层位于所述隔离层上；P型阱，所述P型阱位于所述N型硅层一侧的所述隔离层上；N型阱，所述N型阱位于所述N型硅层另一侧的所述隔离层上；源极，所述源极位于所述P型阱上；漏极，所述漏极位于所述N型阱上；氧化层，所述氧化层位于所述N型硅层上；第一介质层，所述第一介质层覆盖所述源极和漏极之间的所述氧化层、P型阱和N型阱；第二介质层，所述第二介质层覆盖所述源极和漏极之间的所述第一介质层，所述第二介质层上设有凹槽，所述凹槽内形成有栅极；金属拱形场板，所述金属拱形场板跨过所述栅极，且所述金属拱形场板的一端与源极连接，另一端搭接在所述栅极与所述漏极之间的第二介质层上；其中，所述第一介质层内具有位于下层的多个半绝缘电阻极板和位于上层的多个导体极板，所述多个半绝缘电阻极板和所述多个导体极板均横向间隔排列，且任意一个所述半绝缘电阻极板与上层相邻的一个导体极板垂直连接，与上层相邻的另一个导体极板构成电容器，位于左右最外侧的两个导体极板分别与所述P型阱和N型阱垂直连接。
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