[发明专利]包括突起焊盘的半导体存储器装置

摘要

公开了一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置可包括：衬底，其包括单元阵列区和接触区；和堆叠结构，其包括交替地堆叠在衬底上的多个绝缘层和多个栅电极。堆叠结构在接触区中可包括阶梯式结构。所述多个栅电极中的每一个可包括包含阶梯式结构中的阶梯的对应的焊盘单元。焊盘单元中的至少一个可包括基础焊盘和基础焊盘上的突起焊盘。突起焊盘可位于基础焊盘的表面的垂直于对应的栅电极的延伸方向的两条边之间并且与所述两条边间隔开。

主权项

1.一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括单元阵列区和接触区；和堆叠结构，其包括交替地堆叠在所述衬底上的多个绝缘层和多个栅电极，所述堆叠结构包括所述接触区中的阶梯式结构，其中，所述多个栅电极中的每一个包括包含所述阶梯式结构中的阶梯的对应的焊盘单元，其中，所述焊盘单元中的至少一个包括基础焊盘和所述基础焊盘上的突起焊盘，并且其中，所述突起焊盘位于所述基础焊盘的表面的垂直于对应的栅电极的延伸方向的两条边之间并且与所述两条边间隔开。