[发明专利]一种高压半导体器件

摘要

本发明公开了一种高压半导体器件。其包括依次设置的P型衬底、隔离层和N型硅层；N型硅层一侧的隔离层上设有P型阱，另一侧的隔离层上设有N型阱；P型阱上有源极，N型阱上有漏极，N型硅层上有绝缘层，绝缘层内具有多晶硅场板和位于多晶硅场板两侧的栅极，栅极通过跨设在多晶硅场板上方的多晶硅桥连接；源极和漏极之间的绝缘层、P型阱和N型阱覆盖介质层；栅极上跨设金属拱形场板，金属拱形场板的一端与源极连接，另一端搭接在栅极与漏极之间的介质层上。本发明能够提高器件的击穿电压。

主权项

一种高压半导体器件，其特征在于，包括：P型衬底；隔离层，所述隔离层位于所述P型衬底上；N型硅层，所述N型硅层位于所述隔离层上；P型阱，所述P型阱位于所述N型硅层一侧的所述隔离层上；N型阱，所述N型阱位于所述N型硅层另一侧的所述隔离层上；源极，所述源极位于所述P型阱上；漏极，所述漏极位于所述N型阱上；绝缘层，所述绝缘层位于所述N型硅层上，所述绝缘层内具有多晶硅场板和位于多晶硅场板两侧的栅极，所述栅极通过跨设在多晶硅场板上方的多晶硅桥连接；介质层，所述第一介质层覆盖所述源极和漏极之间的所述绝缘层、P型阱和N型阱；金属拱形场板，所述金属拱形场板跨过所述栅极，所述金属拱形场板的一端与源极连接，另一端搭接在所述栅极与所述漏极之间的介质层上。