[发明专利]一种拼接生长单晶金刚石的方法及系统在审
| 申请号： | 201711310411.0 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108103570A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 武迪;朱瑞;陈贞君;郑大平;徐元成;杨明 | 申请（专利权）人： | 湖北碳六科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/20 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于金刚石制备技术领域，公开了一种拼接生长单晶金刚石的方法及系统，将籽晶放置入等离子体CVD设备腔体中，然后抽本底真空，然后通入氢气，输入能量，产生放电，调整籽晶温度；通入甲烷(或丙酮、二氧化碳等含碳气体)气体进行生长，籽晶温度在800℃～1000℃，进行生长1小时～100小时等等。本发明采用CVD法拼接生长单晶金刚石，达到大面积生长单晶金刚石的目的，现有单晶金刚石的生长只能在原有的籽晶上进行纵向扩大，这样籽晶的尺寸直接决定了合成的尺寸，本分明采用两个尺寸相同，厚度接近的单晶金刚石片进行固定拼接，然后同时生长，获得大尺寸单晶金刚石，解决了瓶颈问题。 | ||
| 搜索关键词： | 生长单晶金刚石 籽晶 拼接 生长 单晶金刚石 金刚石 等离子体CVD设备 制备技术领域 大尺寸单晶 本底真空 含碳气体 瓶颈问题 输入能量 氢气 原有的 甲烷 放电 二氧化碳 丙酮 腔体 合成 | ||
【主权项】：
1.一种拼接生长单晶金刚石的方法，其特征在于，所述拼接生长单晶金刚石的方法采用两个尺寸、厚度相同的单晶金刚石片进行固定，然后同时生长，获得大尺寸单晶金刚石。
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