[发明专利]日盲紫外探测器、其制作方法与应用有效
| 申请号： | 201711314615.1 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109920875B | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 何涛;付凯;丁晓煜;史锋锋;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/108 | 分类号： | H01L31/108;H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/032 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王茹;王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种日盲紫外探测器、其制作方法与应用。所述探测器包括：阵列结构，其包括复数个间隔设置的微结构体，所述微结构体由宽带系半导体材料形成；高迁移率薄膜，其与所述阵列结构的一端面电性接触，并与所述阵列结构配合形成肖特基异质结；以及电极，其与所述高迁移率薄膜电连接。本发明的日盲紫外探测器通过采用氧化镓纳米柱阵列等与石墨烯等高迁移率薄膜配合，有效提高了器件实际受光面积，促进电子空穴光生载流子对的产生，增大光电流，从而有效提高器件响应度、降低驰豫时间，对于减小器件尺寸，实现器件的小型化、集成化有着巨大的潜力。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外 探测器 制作方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种日盲紫外探测器，其特征在于包括：阵列结构，其包括复数个间隔设置的微结构体，所述微结构体由宽带隙半导体材料形成；高迁移率薄膜，其与所述阵列结构的一端面电性接触，并与所述阵列结构配合形成肖特基异质结；以及电极，其与所述高迁移率薄膜电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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