[发明专利]一种石墨烯场效应晶体管量子点光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及光电探测领域，具体涉及一种石墨烯场效应晶体管量子点光电探测器及其制备方法；该光电探测器为多层薄膜结构，包括Si衬底层、第一绝缘层、第二绝缘层、石墨烯沟道层、量子点光敏介质层以及源极与漏极；衬底上依次热氧化生长第一绝缘层氧化硅，磁控溅射法生长第二绝缘层氮化铝作为双绝缘层，增强型化学气相沉积法生长石墨烯层于双绝缘层上，石墨烯层两端设有源极和漏极，源极和漏极之间涂覆一层量子点光敏介质层。本发明通过设计合理的器件结构，在光照情况下量子点和石墨烯之间可发生有效的电荷转移，从而将特定频率的光转换成光电流，最终实现对入射光的有效探测。

主权项

1.一种石墨烯场效应晶体管量子点光电探测器，其特征在于，该光电探测器为多层薄膜结构，包括Si衬底层、第一绝缘层、第二绝缘层、石墨烯沟道层、量子点光敏介质层以及源极与漏极；所述Si衬底层、第一绝缘层、第二绝缘层、石墨烯沟道层和量子点光敏介质层从下至上依次层叠的；所述源极与漏极分别位于量子点光敏介质层左右两侧。