[发明专利]一种逻辑电路操作方法有效
| 申请号： | 201711318680.1 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108092658B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 李祎;程龙;周亚雄;王卓睿;缪向水 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K19/0948 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 廖盈春;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种逻辑电路操作方法；其中，逻辑电路包括阻变单元和场效应晶体管；阻变单元的正极作为第一输入端，阻变单元的负极与场效应晶体管的漏极连接后作为级联端，阻变单元的栅极作为第二输入端，场效应晶体管的源极作为接地端；第一输入端用于施加逻辑操作电压；级联端用于外接电路；第二输入端用于施加逻辑输入电压信号；接地端用于接地。进行逻辑操作时，在阻变单元的正极施加Set电压，场效应晶体管的源极接地，栅极接输入信号，以阻变单元的初始阻态作为另一输入，即可实现IMP逻辑功能；通过多步重复操作或外接电路可在这一结构中完成NAND等多种逻辑操作。本发明可实现多种逻辑功能，同时操作简单、易于控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 逻辑电路 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种逻辑电路，其特征在于，包括：阻变单元和场效应晶体管；所述阻变单元的正极作为第一输入端(1)，所述阻变单元的负极与所述场效应晶体管的漏极连接后作为级联端(2)，所述阻变单元的栅极作为第二输入端(3)，所述场效应晶体管的源极作为接地端(4)；所述第一输入端用于施加逻辑操作电压；所述级联端用于外接电路；所述第二输入端用于施加逻辑输入电压信号；所述接地端用于接地。
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