[发明专利]降低非固体电解质钽电容漏电流值的方法以及制备非固体电解质钽电容的方法在审
| 申请号： | 201711319318.6 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108091491A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 曾金萍;潘齐凤;肖毅;王成兴;李传龙;张勇;蒙林斌;吴疆;艾文娟;陈果 | 申请（专利权）人： | 中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司（国营第四三二六厂） |
| 主分类号： | H01G9/145 | 分类号： | H01G9/145;H01G9/048;H01G9/052 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 王文红 |
| 地址： | 550000 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明涉及于非固体电解质钽电容器制造技术领域，具体而言，涉及一种降低非固体电解质钽电容漏电流值的方法以及制备非固体电解质钽电容的方法。降低非固体电解质钽电容漏电流值的方法，包括以下步骤：依次进行自然浸润和分次施加电流，第一施加电流为升压总电流的5‑15％，第二次施加电流是以5‑30分钟施加升压总电流的10‑20％的速率施加电流。该方法能够有效的降低了非固体电解质钽电容器形成后漏电流值，提高了产品的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 非固体电解质 钽电容 施加电流 漏电流 非固体电解质钽电容器 升压 总电流 制备 浸润 施加 制造 | ||
【主权项】：
1.一种降低非固体电解质钽电容漏电流值的方法，其特征在于，包括以下步骤：依次进行自然浸润和分次施加电流，第一施加电流为升压总电流的5-15％，第二次施加电流是以5-30分钟施加升压总电流的10-20％的速率施加电流。
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