[发明专利]一种湿法黑硅的选择发射极制作方法及一种太阳能电池

摘要

本申请公开了一种湿法黑硅的选择发射极制作方法及一种太阳能电池，该方法包括对对硅片进行湿法制绒，形成黑硅表面；在所述黑硅表面进行扩散，形成n型元素掺杂区域；在所述黑硅表面与待制作金属栅线位置相对应的区域进行激光刻槽，利用激光消融方式将所述n型元素区域中的n型元素聚集在激光刻槽区域，形成具有预设深度的n+区域，构成选择发射极。该太阳能电池包括在黑硅表面的上述选择发射极，所述选择发射极中设置有金属栅线。上述湿法黑硅的选择发射极的制作方法及太阳能电池，能够促进电池片与栅线之间的电荷传输性能，提高湿法黑硅电池的光电转化效率。

主权项

1.一种湿法黑硅的选择发射极制作方法，其特征在于，包括：对硅片进行湿法制绒，形成黑硅表面；在所述黑硅表面进行扩散，形成n型元素掺杂区域；在所述黑硅表面与待制作金属栅线位置相对应的区域进行激光刻槽，利用激光消融方式将所述n型元素区域中的n型元素聚集在激光刻槽区域，形成具有预设深度的n+区域，构成选择发射极，所述激光刻槽区域的面积大于所述待制作金属栅线的面积；所述激光刻槽区域的宽度范围为80μm至120μm；所述预设深度的范围为3μm至10μm。