[发明专利]基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光LED及制备方法有效
| 申请号： | 201711324202.1 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN107978688B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张宇;陈真;张晓宇;陆敏;于伟泳;张铁强 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 朱世林 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光LED及制备方法。所述的电致发光LED包括：ITO玻璃作为底部电极；n型ZnO/聚乙烯亚胺作为电子传输层(ETL)和空穴阻挡层(HBL)；PbS包覆钙钛矿量子点作为发光层；p型4,4’，4”‑三(咔唑‑9‑基)苯胺薄膜作为空穴传输层(HTL)和电子阻挡层(EBL)；MoO3/Au作为顶部电极。其制备方法包括：首先制备铯油酸溶液，之后经制备PbS包覆的CsPbI3量子点、电子传输层和空穴阻挡层、发光层、空穴传输层和电子阻挡层等步骤，获得PbS包覆钙钛矿量子点电致发光LED。本发明通过采用PbS包覆钙钛矿量子点，提高钙钛矿量子点光电性能，同时保证其稳定性和保持其良好的半导体性能，并以此作为发光层制备高效稳定的电致发光LED。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 硫化铅 包覆钙钛矿 量子 电致发光 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于硫化铅包覆钙钛矿量子点的电致发光LED，其特征在于：采用PbS包覆钙钛矿量子点改善其光电性能和稳定性，并以此量子点材料作为发光层制备钙钛矿量子点电致发光LED；所述PbS包覆的钙钛矿量子点LED的结构包括：ITO玻璃作为底部电极；n型ZnO/聚乙烯亚胺作为电子传输层和空穴阻挡层；PbS包覆的钙钛矿量子点作为发光层；p型4,4’，4”‑三（咔唑‑9‑基）苯胺薄膜作为空穴传输层和电子阻挡层；MoO3/Au作为顶部电极。
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