[发明专利]半导体功率器件的制作方法有效

专利信息
申请号: 201711325070.4 申请日: 2017-12-12
公开(公告)号: CN108054099B 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 南京溧水高新创业投资管理有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336
代理公司: 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 代理人: 李明香
地址: 210000 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种半导体功率器件的制作方法,所述半导体功率器件的制作方法包括:在N型衬底形成N型外延层,并在所述N型外延层表面依次形成栅氧化层和多晶硅层;对所述多晶硅层进行不完全刻蚀,以在未刻蚀区域保留多晶硅层,并在刻蚀区域形成多晶硅薄层;通过所述多晶硅薄层对所述N型外延层进行P‑注入,来在所述N型外延层表面形成P‑体区;通过所述多晶硅薄层对所述P‑体区进行N+型注入,来在所述P‑体区形成N+源区;对所述多晶硅层进行氧化处理,其中所述多晶硅薄层被完全氧化成氧化层,并通过所述氧化层对所述P‑体区进行P+注入,以在所述N+源区周围形成P+区。
搜索关键词: 半导体 功率 器件 制作方法
【主权项】:
1.一种半导体功率器件的制作方法,其特征在于,包括:在N型衬底形成N型外延层,并在所述N型外延层表面依次形成栅氧化层和多晶硅层;对所述多晶硅层进行不完全刻蚀,以在未刻蚀区域保留多晶硅层,并在刻蚀区域形成多晶硅薄层;通过所述多晶硅薄层对所述N型外延层进行P-注入,来在所述N型外延层表面形成P-体区;通过所述多晶硅薄层对所述P-体区进行N+型注入,来在所述P-体区形成N+源区;对所述多晶硅层进行氧化处理,其中所述多晶硅薄层被完全氧化成氧化层,并通过所述氧化层对所述P-体区进行P+注入,以在所述N+源区周围形成P+区。
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