[发明专利]半导体功率器件的制作方法有效
申请号: | 201711325070.4 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN108054099B | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336 |
代理公司: | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人: | 李明香 |
地址: | 210000 江苏省南京*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种半导体功率器件的制作方法,所述半导体功率器件的制作方法包括:在N型衬底形成N型外延层,并在所述N型外延层表面依次形成栅氧化层和多晶硅层;对所述多晶硅层进行不完全刻蚀,以在未刻蚀区域保留多晶硅层,并在刻蚀区域形成多晶硅薄层;通过所述多晶硅薄层对所述N型外延层进行P‑注入,来在所述N型外延层表面形成P‑体区;通过所述多晶硅薄层对所述P‑体区进行N+型注入,来在所述P‑体区形成N+源区;对所述多晶硅层进行氧化处理,其中所述多晶硅薄层被完全氧化成氧化层,并通过所述氧化层对所述P‑体区进行P+注入,以在所述N+源区周围形成P+区。 | ||
搜索关键词: | 半导体 功率 器件 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体功率器件的制作方法,其特征在于,包括:在N型衬底形成N型外延层,并在所述N型外延层表面依次形成栅氧化层和多晶硅层;对所述多晶硅层进行不完全刻蚀,以在未刻蚀区域保留多晶硅层,并在刻蚀区域形成多晶硅薄层;通过所述多晶硅薄层对所述N型外延层进行P-注入,来在所述N型外延层表面形成P-体区;通过所述多晶硅薄层对所述P-体区进行N+型注入,来在所述P-体区形成N+源区;对所述多晶硅层进行氧化处理,其中所述多晶硅薄层被完全氧化成氧化层,并通过所述氧化层对所述P-体区进行P+注入,以在所述N+源区周围形成P+区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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