[发明专利]激光器芯片失效定位分析样品制备方法及中间件有效

专利信息
申请号: 201711325574.6 申请日: 2017-12-13
公开(公告)号: CN107894359B 公开(公告)日: 2021-04-02
发明(设计)人: 黄波;杨涛;阙凌薇;刘乔乔 申请(专利权)人: 武汉电信器件有限公司
主分类号: G01N1/32 分类号: G01N1/32
代理公司: 北京天奇智新知识产权代理有限公司 11340 代理人: 刘黎明
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种激光器芯片失效定位分析样品制备方法及中间件。该方法及中间件连带热沉一同取下,在芯片周围粘接垫脚用作保护,通过研磨的方式去掉热沉,持续研磨去除衬底处金层,至芯片衬底完全露出,适用于多种封装形式的半导体激光器芯片,也适用于不同材料体系的如ⅢⅤ族、ⅡⅥ族、硅基的半导体激光器芯片,该方法可直接对百um量级微小易碎的激光器芯片进行制样,无需采用各种精密的微纳米加工设备。注重对样品保护,可有效避免在失效样品取样过程中或制样过程中的样品损伤。制样完成后探测点在同一平面上,便于加电测试。采用的可清洗粘接剂,样品可取出,利于后续其他分析。
搜索关键词: 激光器 芯片 失效 定位 分析 样品 制备 方法 中间件
【主权项】:
一种激光器芯片失效定位分析样品制备方法,其特征在于,包括:在带有激光器芯片(103)的热沉(102)上设置若干高于激光器芯片(103)的垫脚(105);将垫脚(105)连接于基板上,研磨所述热沉(102)直至露出激光器芯片(103)背面衬底(110)。
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