[发明专利]一种图案化方法有效

专利信息
申请号: 201711326148.4 申请日: 2017-12-13
公开(公告)号: CN109920730B 公开(公告)日: 2021-04-20
发明(设计)人: 张峰溢;李甫哲;林盈志;林刚毅 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
主分类号: H01L21/033 分类号: H01L21/033
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种图案化方法。首先提供一基底,包含阵列区和周边区。在基底上形成一材料层,完全覆盖阵列区和周边区。形成第一图案化掩模层,并以第一图案化掩模层进行第一自对准双重图案化制作工艺,将覆盖阵列区和周边区的材料层分别图案化成第一阵列图案和第一周边图案。形成第二图案化掩模层并以第二图案化掩模层进行第二自对准双重图案化制作工艺,将第一阵列图案图案化成第二阵列图案。形成第三图案化掩模层并以第三图案化掩模层为蚀刻掩模蚀刻移除部分第一周边图案,将第一周边图案图案化成第二周边图案。后续,以第二阵列图案和第二周边图案为蚀刻掩模蚀刻其下方的图案转移层,将第二阵列图案和第二周边图案的图案同时转移至图案转移层中。
搜索关键词: 一种 图案 方法
【主权项】:
1.一种图案化方法,其特征在于,包含:提供一基底,包含阵列区和周边区;在基底上形成一材料层,完全覆盖该阵列区和该周边区;形成一第一图案化掩模层,覆盖该阵列区和该周边区的部分该材料层;以该第一图案化掩模层进行一第一自对准双重图案化制作工艺,将该阵列区和该周边区的该材料层分别图案化成一第一阵列图案和一第一周边图案;形成一第二图案化掩模层,部分覆盖该第一阵列图案,完全覆盖该第一周边图案;以该第二图案化掩模层进行一第二自对准双重图案化制作工艺,将该第一阵列图案图案化成一第二阵列图案;形成一第三图案化掩模层,显露部分该第一周边图案,完全覆盖该第二阵列图案;以及以该第三图案化掩模层为蚀刻掩模蚀刻移除该第一周边图案显露的部分,将该第一周边图案图案化成一第二周边图案。
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