[发明专利]集成电路半定制后端设计快速通道设计方法有效

专利信息
申请号: 201711326399.2 申请日: 2017-12-13
公开(公告)号: CN108052739B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 徐靖 申请(专利权)人: 嘉兴倚韦电子科技有限公司
主分类号: G06F30/39 分类号: G06F30/39
代理公司: 嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙) 33253 代理人: 李伊飏
地址: 314000 浙江省嘉兴市平湖市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种集成电路半定制后端设计快速通道设计方法。步骤S1:后端设计工具获取原始数据和更新数据。步骤S2:通过比对上述原始数据和更新数据形成数据差异信息,并且对于上述数据差异信息进行分析以生成执行命令。步骤S3:执行上述执行命令以合成用于快速通道设计的设计数据。步骤S4:将上述设计数据应用于实际工程设计以记录关键执行信息。步骤S5:分析并且判断上述关键执行信息是否符合预设的设计标准。本发明公开的集成电路半定制后端设计快速通道设计方法,避免后端设计滞后于前端设计,使后端设计可以提前与前端设计同步进行,提高后端设计环节的设计效率,缩短整个芯片设计周期。
搜索关键词: 集成电路 定制 后端 设计 快速通道 方法
【主权项】:
1.一种集成电路半定制后端设计快速通道设计方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤S1:后端设计工具获取原始数据和更新数据;步骤S2:通过比对上述原始数据和更新数据形成数据差异信息,并且对于上述数据差异信息进行分析以生成执行命令;步骤S3:执行上述执行命令以合成用于快速通道设计的设计数据;步骤S4:将上述设计数据应用于实际工程设计以记录关键执行信息;步骤S5:分析并且判断上述关键执行信息是否符合预设的设计标准,如果符合则输出正确结果数据,否则输出错误结果数据同时执行步骤S2。
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