[发明专利]相对于氧化硅区域有选择地蚀刻氮化硅区域的方法有效
| 申请号： | 201711326482.X | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108231579B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 田端雅弘;熊仓翔 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种相对于由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域的方法，能够抑制堆积物的生成并且能够获得高选择性。一个实施方式的方法包括：在由等离子体处理装置的腔室主体提供的腔室内准备具有第一区域和第二区域的被加工物的步骤；在腔室内生成包含含氢气体的第一气体的等离子体，以使得通过氢的活性种将第一区域的一部分改性而形成改性区域的步骤；和在腔室内生成包含含氟气体的第二气体的等离子体，以使得利用氟的活性种除去改性区域的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 相对于 氧化 区域 选择 蚀刻 氮化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种相对于由氧化硅形成的第二区域有选择地蚀刻由氮化硅形成的第一区域的方法，所述方法的特征在于，包括：在由等离子体处理装置的腔室主体提供的腔室内准备具有所述第一区域和所述第二区域的被加工物的步骤；在所述腔室内生成包含含氢气体的第一气体的等离子体，以使得通过氢的活性种将所述第一区域的一部分改性而形成改性区域的步骤；和在所述腔室内生成包含含氟气体的第二气体的等离子体，以使得利用氟的活性种除去所述改性区域的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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