[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201711326822.9 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108269780B | 公开（公告）日： | 2021-11-26 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蕭輔寬 |
| 地址： | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包含一基板、在基板上之一图案化导电层、在基板上并围绕图案化导电层之一钝化层、在钝化层上且电连接至图案化导电层之一第一球下金属层(under bump metallurgy；UBM)及一第二UBM以及在钝化层上且在第一UBM及第二UBM之间的一隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：一基板；一图案化导电层，其位于所述基板上；一钝化层，其位于所述基板上并围绕所述图案化导电层；一第一球下金属层(under bump metallurgy；UBM)及一第二UBM，其等位于所述钝化层上并电连接至所述图案化导电层；及一隔离结构，其位于所述钝化层上且位于所述第一UBM及所述第二UBM之间。
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