[发明专利]一种具有表面应力调制结构的应变NMOSFET器件

摘要

本发明涉及半导体技术，具体为一种具有表面应力调制结构的应变NMOSFET器件。本发明通过两个绝缘介质层分别紧靠设置于源区和漏区外侧表面，并且位于浅槽隔离区的正上方，在栅两侧到绝缘介质层之间的源区和漏区上方区域分别形成两个槽形结构，从而控制NMOSFET器件沟道区域内的应力，使其弛豫，实现抑制压应变氮化硅盖帽层对NMOSFET性能的不利影响。本发明对使用压应变氮化硅盖帽层来提升PMOSFET性能的CMOS集成电路，由于避免了对NMOSFET表面的压应变氮化硅盖帽层进行刻蚀，有效地抑制了压应变氮化硅盖帽层所造成的NMOSFET性能的下降，从而降低工艺的复杂度。

主权项

一种具有表面应力调制结构的应变NMOSFET器件，包括栅氧化层、栅极、两个侧墙、半导体衬底、源极、漏极、源区、漏区、两个轻掺杂漏区LDD区、两个浅槽隔离区及压应变氮化硅盖帽层，其特征在于：还包括两个绝缘介质层；源区与一个LDD区并列设置在半导体衬底上表面靠近源极位置，漏区与另一个LDD区并列设置在半导体衬底上表面靠近漏极位置，两个LDD区之间的半导体衬底上表面设置有栅氧化层，栅极设置在栅氧化层上方，栅极靠近源极和漏极的两侧各设置有一个侧墙，侧墙下表面与LDD区上表面相接触；两个浅槽隔离区分别与源区与漏区紧靠，其中填充有绝缘介质；所述两个绝缘介质层分别紧靠设置于源区和漏区外侧表面，并且位于浅槽隔离区的正上方，在栅两侧到上述绝缘介质层之间的源区和漏区上方区域分别形成槽形结构，共计两个；压应变氮化硅盖帽层覆盖于包括上述槽形结构的整个器件上表面；两个绝缘介质层的厚度不低于0.5倍栅高。