[发明专利]一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置及方法有效
| 申请号： | 201711327490.6 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108225564B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 李聪科;俞白军 | 申请（专利权）人： | 烟台睿创微纳技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/00 | 分类号： | G01J5/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 尉保芳 |
| 地址： | 264006 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置，包括：第一模数转换器，第二模数转换器，第一功能模块电路，第二功能模块电路，PMOS管，NMOS管，传感器探测元电阻阵列，积分电路，不感光电阻；NMOS管的漏极与传感器探测元电阻阵列连接，源极分别与PMOS管的漏极和积分电路连接；PMOS管的源极与不感光电阻的一端连接，漏极还与积分电路连接；第一功能模块电路和第二功能模块电路分别与PMOS管的栅极和NMOS管的栅极连接；第一模数转换器和第二模数转换器分别与PMOS管的衬底和NMOS管的衬底连接，用于调节PMOS管和NMOS管的衬底电压。本发明通过调节晶体管的衬底电压来实现片上非均匀性的校正，降低非均匀校正时调整电压对输出的噪声贡献，提高电路的扩展性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 调整 晶体管 衬底 电压 校正 片上非 均匀 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种调整晶体管衬底电压校正片上非均匀性的装置，其特征在于，包括：第一模数转换器(1)，第二模数转换器(2)，第一功能模块电路(3)，第二功能模块电路(4)，PMOS管(5)，NMOS管(6)，传感器探测元电阻阵列(7)，积分电路(8)，不感光电阻(9)；所述NMOS管(6)的漏极与所述传感器探测元电阻阵列(7)连接，源极分别与所述PMOS管(5)的漏极和所述积分电路(8)连接；所述PMOS管(5)的源极与所述不感光电阻(9)的一端连接，漏极还与所述积分电路(8)连接；所述第一功能模块电路(3)和所述第二功能模块电路(4)分别与所述PMOS管(5)的栅极和所述NMOS管(6)的栅极连接；所述第一模数转换器(1)和所述第二模数转换器(2)分别与所述PMOS管(5)的衬底和所述NMOS管(6)的衬底连接，用于调节所述PMOS管(5)和所述NMOS管(6)的衬底电压。
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