[发明专利]垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711328227.9 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN107994077B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种垂直双扩散场效应晶体管包括N型衬底、第一层N型外延、形成于第一层N型外延表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于第一沟槽与第二沟槽中的P型外延、形成于第一层N型外延及P型外延上的第二层P型外延、贯穿第二层P型外延的第三沟槽、位于第三沟槽中的第二层N型外延、位于第二层P型外延表面且对应第一、第二沟槽的第一N型注入区、与第二N型注入区、贯穿第一、第二N型注入区并延伸至第二层P型外延的第一、第二P型注入区、依次形成的氧化硅层与多晶硅层、形成于多晶硅层上、第一、第二及第三N型注入区上的介质层、贯穿介质层且对应第一N型与第一P型注入区的第一通孔、贯穿介质层且对应第二N型与第二P型注入区的第二通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种垂直双扩散场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管包括N型衬底、形成于所述N型衬底上的第一层N型外延、形成于所述第一层N型外延表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与第二沟槽中的P型外延、形成于所述第一层N型外延及所述P型外延上的第二层P型外延、贯穿所述第二层P型外延且对应所述第一沟槽与第二沟槽之间的第一层N型外延层的第三沟槽、位于所述第三沟槽中的第二层N型外延、位于所述第二层P型外延表面且对应所述第一沟槽的第一N型注入区、位于所述第二层P型外延表面且对应所述第二沟槽的第二N型注入区、贯穿所述第一N型注入区并延伸至所述第二层P型外延的第一P型注入区、贯穿所述第二N型注入区并延伸至所述第二层P型外延的第二P型注入区、依次形成于所述第二层P型外延、所述第二层N型外延、所述第一、第二N型注入区上的氧化硅层与多晶硅层、贯穿所述氧化硅层及多晶硅层且对应所述第一N型注入区与P型注入区的第一开口、贯穿所述氧化硅层与多晶硅层且对应所述第二N型注入区及所述第二P型注入区的第二开口、形成于所述多晶硅层上、所述第一、第二及第三N型注入区上的介质层、贯穿所述介质层且对应所述第一N型注入区与第一P型注入区的第一通孔、贯穿所述介质层且对应所述第二N型注入区与第二P型注入区的第二通孔。
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