[发明专利]一种银纳米线导电膜的刻蚀液及其使用方法在审
| 申请号： | 201711330168.9 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108048842A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 司荣美;潘中海;刘彩风 | 申请（专利权）人： | 天津宝兴威科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/30 | 分类号： | C23F1/30 |
| 代理公司： | 天津市新天方有限责任专利代理事务所 12104 | 代理人： | 张强 |
| 地址： | 301800 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明是一种银纳米线导电膜的刻蚀液及其使用方法，所述刻蚀液组分及质量百分比如下：醋酸：10～30％；氨水：5～10％；无机金属盐：10～20％；过氧化氢：6～16％；水溶性聚合物：3～15％；二氧化硅：4％；羧甲基纤维素：3％；乙二醇：2～17％；去离子水：10～30％。使用本发明制备的银纳米线导电膜具有成膜表面导电性能稳定，电阻率低，透光率高，附着力强的特点，本发明的制备工艺过程简单成熟，设备简单，操作方便，成本低廉，便于推广应用。此外，使用本发明制备的银纳米线导电膜具有化学稳定性良好，防腐性能优异的特性，不含强酸或强碱，环境污染小，可用于电磁屏蔽及电子电路等领域，具有广泛应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 导电 刻蚀 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
1.一种银纳米线导电膜的刻蚀液，其特征在于，所述刻蚀液组分及质量百分比如下：醋酸：10～30％；氨水：5～10％；无机金属盐：10～20％；过氧化氢：6～16％；水溶性聚合物：3～15％；二氧化硅：4％；羧甲基纤维素：3％；乙二醇：2～17％；去离子水：10～30％。
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