[发明专利]集成电路器件和制作技术有效
| 申请号： | 201711332267.0 | 申请日： | 2013-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN108109956B | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | J·H·张 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/8254;H01L21/44;H01L27/11 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 集成电路器件和制作技术。一种半导体器件制作方法可以包括在相同处理步骤中掺杂集成电路的衬底的第一和第二部分。第一部分对应于半导体器件的掺杂的区域。第二部分对应于过孔接触。该方法还可以包括在掺杂之后形成半导体器件的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 制作 技术 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：硅衬底；第一鳍，从所述衬底的第一表面延伸度，所述第一鳍包括：第一p型鳍场效应晶体管(FinFET)的源极、沟道和漏极；和第二p型FinFET的源极和沟道，所述第二p型FinFET共享所述第一p型FinFET的漏极，所述第一和第二p型FinFET沿第一轴线对齐；以及第二鳍，从所述衬底的第一表面延伸度，所述第二鳍包括：第一n型鳍场效应晶体管(FinFET)的源极、沟道和漏极；和第二n型FinFET的漏极和沟道，所述第二n型FinFET共享所述第一n型FinFET的源极，所述第一和第二n型FinFET沿第一轴线对齐并且与所述第一和第二p型FinFET隔开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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