[发明专利]快恢复二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711336628.9 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108054198B | 公开（公告）日： | 2020-12-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 嘉兴市龙锋市政建设有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快恢复二极管及其制造方法。所述快恢复二极管包括N型外延层、形成于所述N型外延层的第一表面的快恢复二极管正面结构、形成于所述N型外延层远离所述快恢复二极管的正面结构的第二表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽表面的铂材料层、以及形成于所述N型外延层表面与所述铂材料层表面的金属层，所述金属层作为背面电极。 | ||
| 搜索关键词： | 恢复 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种快恢复二极管，其特征在于：所述快恢复二极管包括N型外延层、形成于所述N型外延层的第一表面的快恢复二极管正面结构、形成于所述N型外延层远离所述快恢复二极管的正面结构的第二表面的第一沟槽与第二沟槽、形成于所述第一沟槽与所述第二沟槽表面的铂材料层、以及形成于所述N型外延层表面与所述铂材料层表面的金属层，所述金属层作为背面电极。
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