[发明专利]半导体存储器件有效
| 申请号： | 201711337133.8 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108206184B | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 宋正宇;李艺路;黄光台;金光敏;金容宽;金志永 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明构思涉及一种半导体存储器件。一种半导体器件包括包含有源区域的衬底。位线结构延伸跨过有源区域。着落垫设置在有源区域的端部上。第一间隔物设置在位线结构与着落垫之间。第二间隔物设置在第一间隔物与着落垫之间。空气间隔物设置在第一间隔物与第二间隔物之间。盖图案设置在着落垫的侧壁与位线结构的侧壁之间。盖图案限定空气间隔物的顶表面并包括金属性材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：包括有源区域的衬底；延伸跨过所述有源区域的位线结构；在所述有源区域的端部上的着落垫；在所述位线结构与所述着落垫之间的第一间隔物；在所述第一间隔物与所述着落垫之间的第二间隔物；在所述第一间隔物与所述第二间隔物之间的空气间隔物；以及在所述着落垫的侧壁与所述位线结构的侧壁之间的盖图案，其中所述盖图案限定所述空气间隔物的顶表面并包括金属性材料。
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