[发明专利]硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构及其封装结构在审

专利信息
申请号: 201711337223.7 申请日: 2017-12-14
公开(公告)号: CN109962770A 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 龚攀;刘建宏 申请(专利权)人: 科大国盾量子技术股份有限公司
主分类号: H04L9/08 分类号: H04L9/08
代理公司: 合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙) 34124 代理人: 丁瑞瑞
地址: 230000 安徽省合肥市高*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构及其封装结构,芯片结构包括第一强度调制器、第二强度调制器、至少一个可调光衰减器、偏振调制器,第一强度调制器、第二强度调制器、至少一个可调光衰减器、偏振调制器首尾相连,信号光从第一强度调制器进入,偏振调制器的输出端作为芯片结构的输出端,所述第一强度调制器和第二强度调制器结构相同,包括第一光分束器、两路第一硅基移相器以及光合束器,第一光分束器通过两路第一硅基移相器分别连接到光合束器。本发明相比现有技术具有以下优点:本发明具有与CMOS工艺兼容、成本低、系统结构简单、集成度高、测试简单、易于封装等优点。
搜索关键词: 强度调制器 芯片结构 偏振调制器 可调光衰减器 量子密钥分发 封装结构 光分束器 光合束器 硅基单片 发送方 输出端 移相器 硅基 两路 首尾相连 系统结构 集成度 信号光 封装 兼容 测试
【主权项】:
1.一种硅基单片集成量子密钥分发发送方芯片结构,其特征在于,包括第一强度调制器、第二强度调制器、偏振调制器、至少一个可调光衰减器,第一强度调制器、第二强度调制器、偏振调制器、至少一个可调光衰减器首尾相连,信号光从第一强度调制器进入,可调光衰减器的输出端作为芯片结构的输出端,所述第一强度调制器和第二强度调制器为马赫增德尔干涉仪结构,包括第一光分束器、两路第一硅基移相器以及光合束器,第一光分束器通过两路第一硅基移相器分别连接到光合束器。
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