[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；多个下电极，其被设置在衬底上并且在第一方向和交叉第一方向的第二方向上重复地布置；以及第一电极支撑件，其接触下电极中的至少一个的侧壁。第一电极支撑件包括：第一支撑区域，其包括第一开口；以及第二支撑区域，其被设置在第一支撑区域的边界处。第一电极支撑件的外侧壁包括在第一方向上延伸的第一侧壁、在第二方向上延伸的第二侧壁以及连接第一侧壁和第二侧壁的连接侧壁。第二支撑区域包括连接侧壁。在第二支撑区域的第一部分中，第二支撑区域的第一部分的宽度在远离第一支撑区域的方向上减小。

主权项

1.一种半导体器件，包括：衬底；设置在所述衬底上的多个下电极，其中所述多个下电极中的各下电极在第一方向和交叉所述第一方向的第二方向上重复地布置；以及第一电极支撑件，其接触所述下电极中的至少一个的侧壁以支撑所述下电极中的所述至少一个，其中所述第一电极支撑件包括第一支撑区域和设置在所述第一支撑区域的边界处的第二支撑区域，其中所述第一支撑区域包括第一开口，其中所述第一电极支撑件的外侧壁包括在所述第一方向上延伸的第一侧壁、在所述第二方向上延伸的第二侧壁以及连接所述第一侧壁与所述第二侧壁的连接侧壁，其中所述第二支撑区域包括所述连接侧壁，以及其中，在所述第二支撑区域的第一部分中，所述第二支撑区域的所述第一部分的宽度在远离所述第一支撑区域的方向上减小。