[发明专利]整流器装置及其操作方法在审
| 申请号： | 201711339764.3 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108233732A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 阿尔比诺·皮杜蒂;达米亚诺·加德勒;扬尼斯·帕赫尼斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H02M7/00 | 分类号： | H02M7/00;H02M7/217;H01L27/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;韩雪梅 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本文描述了一种整流器装置及其操作方法。根据一个示例，整流器包括半导体基板并且还包括通过第一MOS晶体管的负载电流路径以及并联连接至负载电流路径的二极管来连接的阳极端子和阴极端子。在阳极端子与阴极端子之间可操作地施加交流输入电压。此外，整流器包括被配置成使第一MOS晶体管在导通时间段内导通的控制电路，在导通时间段期间二极管被正向偏置。第一MOS晶体管、二极管以及控制电路被集成在半导体基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 二极管 负载电流路径 半导体基板 导通时间段 整流器装置 控制电路 阳极端子 阴极端子 整流器 交流输入电压 并联连接 可操作地 正向偏置 导通 施加 配置 | ||
【主权项】：
1.一种整流器装置，包括：半导体基板；阳极端子和阴极端子，所述阳极端子和所述阴极端子通过第一MOS晶体管的负载电流路径以及并联连接至所述负载电流路径的二极管来连接；在所述阳极端子与所述阴极端子之间可操作地施加交流输入电压；以及控制电路，所述控制电路被配置成使所述第一MOS晶体管在导通时间段内导通，在所述导通时间段期间所述二极管被正向偏置，其中，所述第一MOS晶体管、所述二极管和所述控制电路被集成在所述半导体基板中。
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