[发明专利]灰阶掩膜版制作方法

摘要

本发明实施例提供一种灰阶掩膜版制作方法，包括以下步骤：在基板一侧表面形成灰阶层；在所述灰阶层表面形成遮光层；在所述遮光层表面形成光阻层；对形成所述光阻层后的半成品进行初次曝光；对初次曝光后的半成品进行初次显影；对初次显影后的半成品进行初次蚀刻；对初次蚀刻后的半成品进行二次曝光；对二次曝光后的半成品进行二次显影；对二次显影后的半成品进行二次蚀刻；对二次蚀刻后的半成品进行脱膜，获得带有透光层图案、灰阶层图案和遮光层图案的灰阶掩膜版成品。本发明实施例提供的制作方法工艺过程相对简单易操作，所获得的带有透光层图案、灰阶层图案和遮光层图案的灰阶掩膜版成品应用于TFT‑LCD行业，可以有效减少制程工序，提高产品品质。

主权项

1.一种灰阶掩膜版制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板一侧表面形成灰阶层；在所述灰阶层表面形成遮光层；在所述遮光层表面形成光阻层；对形成所述光阻层后的半成品进行初次曝光，通过调整控制不同区域的曝光能量，使所述光阻层在不同区域分别形成第一完全感光区、第一不完全感光区和非感光区；对初次曝光后的半成品进行初次显影，第一完全感光区的光阻材料与显影液反应被去除形成第一完全显影区，第一不完全感光区的光阻材料与显影液反应不充分留下第一预定厚度的光阻材料形成第一不完全显影区，非感光区的光阻材料不与显影液反应形成非显影区；对初次显影后的半成品进行初次蚀刻，采用蚀刻液将对应于第一完全显影区的遮光层和灰阶层蚀除形成第一蚀刻区，而表面有光阻层的第一不完全显影区和非显影区不与蚀刻液反应而对应形成第一非蚀刻区；对初次蚀刻后的半成品进行二次曝光，通过控制曝光能量，使第一不完全感光区完全感光形成第二完全感光区，非感光区不完全感光形成第二不完全感光区；对二次曝光后的半成品进行二次显影，第二完全感光区的光阻材料与显影液反应被去除形成第二完全显影区，第二不完全感光区的光阻材料与显影液反应不充分留下第二预定厚度的光阻材料形成第二不完全显影区；对二次显影后的半成品进行二次蚀刻，采用不与灰阶层反应的第一蚀刻液蚀除与第二完全显影区对应的遮光层而保留与第二完全显影区对应灰阶层形成第二蚀刻区，表面有光阻层的第二不完全显影区形成第二非蚀刻区；对二次蚀刻后的半成品进行脱膜，去除残留的光阻层，获得带有透光层图案、灰阶层图案和遮光层图案的灰阶掩膜版成品。